852 수직-캐비티 표면-방출 레이저 베어 칩 0.1-70
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모형: VCSEL-852-0.1mW-SM-BC-G3
상표: 에이스 광자
원산지: 중국
컨트롤러 유형: 해당 없음
전력 허용 최소: 해당 없음
현재 전력: 해당 없음
전압 -DC 역방향 (Vr) (최대): 2V
생산 능력: 해당 없음
흐름: 해당 없음
컬러 인덱스: 해당 없음
힘: 해당 없음
단일 모드 VCSEL 칩
원자 광학 기기는 원자 주파수 표준, 원자 자력계 및 원자 광학 기술의 진행 상황을 고려하여 원자 주파수 표준, 원자 자력계 및 원자 관성 시스템과 같은 많은 측정 분야에서 고정밀 추정 상태의 상태를 확립했습니다. 최근 몇 년 동안 연구원들은 칩 레벨 원자 센서를 개발하고 저전력 소비 및 소형화 방향으로 더욱 발전했으며 항공 우주, 국방 및 시민 분야에서 원자 광학 장치의 적용을 확장했습니다.
칩 레벨 원자 센서 장치의 개발은 주로 두 가지 핵심 기술의 이점이 있습니다 : MEMS 기술을 기반으로 한 원자 센서의 수직 캐비티 표면 방출 레이저 및 마이크로 제조 기술로 대표되는 마이크로 반도체 레이저 기술. 수직 캐비티 표면 방출 레이저 (VCSELS)는 좁은 선폭, 저전력 소비, 변조성 및 단일 모드 및 단일 편광 작업을 갖습니다. 따라서, 이들은 칩 레벨 원자 광학 장치의 핵심 구성 요소가되었습니다. 미국과 유럽은 칩 레벨 원자 센서 및 핵심 구성 요소의 개발을 적극적으로 지원하기위한 특별 연구 계획, DARPA 및 MEMS 원자 시계와 같은 전용 VCSEL 광원, 타이밍을위한 MEMS 원자 시계와 같은 전용 VCSEL 광원을 지원했습니다. 주파수 제어 및 통신 (MAC-TFC).
우리의 단일 모드 VCSEL은 넓은 작동 온도 범위, 고파도 및 편광 안정성의 장점을 가지고 있으며 원자 광학 센서에 이상적인 레이저 소스입니다. 다른 전력과 작동 온도에 따르면, 당사의 제품은 0.1/0.5/1 MW 및 기타 시리즈로 나뉩니다. 실험실 사전 연구 단계에서 단일 모드 VCSEL의 출력 전력은 5MW에 가깝습니다.
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